Name: Toshiba Semiconductor and Storage 1SS307E,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 1SS307E,L3F
Price: 0.0342 USD
Availability: InStock
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Toshiba Semiconductor and Storage 1SS307E,L3F

Artikelnummer:

1SS307E,L3F

Hersteller / Marke:

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)

Teil der Beschreibung.:

DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79

Datenblätte:

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Spezifikationen
Einkaufshandbuch
Versandinformationen
Verpackung

~~Toshiba Semiconductor and Storage 1SS307E,L3F Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments 1SS307E,L3F.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If	1.3 V @ 100 mA
Spannung - Sperr (Vr) (max)	80 V
Technologie	Standard
Supplier Device-Gehäuse	SC-79
Geschwindigkeit	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Serie	-
Verpackung / Gehäuse	SC-79, SOD-523
Paket	Tape & Reel (TR)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Betriebstemperatur - Anschluss	150°C (Max)
Befestigungsart	Surface Mount
Strom - Sperrleckstrom @ Vr	10 nA @ 80 V
Strom - Richt (Io)	100mA
Kapazität @ Vr, F	6pF @ 0V, 1MHz
Grundproduktnummer	1SS307
1SS307E,L3F Einzelheiten PDF [English]	1SS307E,L3F PDF - EN.pdf

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Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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https://www.Y-IC.com/RFQ-Quote.htm
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